IXYS Corporation
IXYS Corporation

- IXYS Corporation oferă o linie largă de semiconductori de înaltă putere, incluzând MOSFET-uri cu rezistență redusă la putere, IGBT-uri de comutare ultra rapidă, diode de recuperare rapidă (FRED), module SCR și diodă, punți redresoare și circuite integrate de putere.

Image

Part Number

Description

ECAD
Model

Quote

IGBT 600V 100A 300W TO3P

MOSFET N-CH 85V 180A TO-263

MOSFET N-CH 40V 340A

MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7

MOSFET N-CH 300V 60A TO-3P

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

MOSFET N-CH 55V 110A TO-220

MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247

MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263

MOSFET N-CH 200V 150A TO-247

MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD

DIODE GEN PURP 1.8KV 60A TO247AD

DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V 30A

MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

DIODE BRIDGE 40A 1200V SOT-227B

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO263

MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B

DIODE GEN PURP 1600V 10A TO220AC

MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252

MOSFET N-CH 1000V 30A

IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK

MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247

MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247

MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB

MOSFET N-CH 55V 64A TO-252

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

MOSFET N-CH 600V 80A TO264

MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD

MOSFET N-CH 550V 36A TO-247

IGBT 600V 75A SOT-227B

IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P

IGBT 600V 75A 540W TO268

MOSFET N-CH 100V 160A TO-247

RF MOSFET N-CHANNEL DE375

MOSFET N-CH 600V 16A TO-247

IC DRVR MOSF/IGBT 30A 28-SOIC

IGBT 600V 40A 150W TO247AD

RF MOSFET N-CHANNEL DE375

MOSFET N-CH 900V 16A TO-247

DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247

MOD THYRISTOR DUAL 1600V TO240AA

MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247

MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251

MOD THYRISTOR DUAL 1400V TO240AA

E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ADĂUGA: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.