AS6C62256-55SINTR SRAM: Pinout, Specificații, Timp de acces și Produs alternativ
2026-09-30 728

AS6C62256-55SINTR este un SRAM cu consum redus de energie de 256 Kbit de la Alliance Memory. Oferă un timp de acces de 55 ns și o interfață paralelă de 8 biți pentru stocarea temporară a datelor. Acest ghid explică pinout-ul său, specificațiile electrice, timpii de citire și scriere, retenția datelor, pachetul și posibilele alternative.

Catalog

Figura 1. AS6C62256-55SINTR Pachet SOP cu 28 de pini

AS6C62256-55SINTR Prezentare generală

AS6C62256-55SINTR este un SRAM de 256 Kbit de la Alliance Memory cu un timp de acces de 55 ns și un domeniu de temperatură de funcționare industrial de −40 °C până la +85 °C. Folosește un pachet SOP cu 28 de pini, 330 mil pentru montare pe suprafață.

Fișa tehnică a Alliance identifică 55SIN ca versiunea SOP industrială de 55 ns. Alliance listează de asemenea AS6C62256-55SIN ca versiunea de comandă SOP industrială de 55 ns. O listă de produse pentru codul de comandă complet AS6C62256-55SINTR specifică ambalarea în role.

Trimiteți un RFQ pentru a confirma cantitatea, prețul, codul de dată, starea, ambalarea și timpul de livrare.

AS6C62256-55SINTR Arhitectură și Pinout

AS6C62256-55SINTR conține un array de memorie 32K × 8. Intrările de adresă A0–A14 trec prin decodorul de adresă pentru a selecta una dintre cele 32,768 locații. În timpul unei citiri, cuvântul de 8 biți selectat trece prin I/O-ul coloanei și circuitele de date la DQ0–DQ7. În timpul unei scrieri, datele urmează același traseu spre locația selectată.

Circuitul de control folosește CE# pentru a selecta cipul, WE# pentru a controla scrierea și OE# pentru a activa ieșirile în timpul unei citiri. Semnul # indică un semnal activ-pe-nouă. VCC este pinul de alimentare, iar VSS este masa.

Mod de funcționare	CE#	OE#	WE#	DQ0–DQ7
Standby	H	X	X	Impedanță înaltă
Ieșire dezactivată	L	H	H	Impedanță înaltă
Citire	L	L	H	Ieșire de date
Scriere	L	X	L	Intrare de date

H înseamnă înalt, L înseamnă joasă, și X înseamnă orice stare. Modurile de funcționare urmează tabelul de adevăr al Alliance Memory.

Figura 2. Diagrama bloc funcțional simplificată a AS6C62256-55SINTR SRAM, reproiectată din fișa tehnică a Alliance Memory

Pin	Semnal	Pin	Semnal
1	A14	28	VCC
2	A12	27	WE#
3	A7	26	A13
4	A6	25	A8
5	A5	24	A9
6	A4	23	A11
7	A3	22	OE#
8	A2	21	A10
9	A1	20	CE#
10	A0	19	DQ7
11	DQ0	18	DQ6
12	DQ1	17	DQ5
13	DQ2	16	DQ4
14	VSS	15	DQ3

Figura 3. AS6C62256-55SINTR Pinout 28-Pin SOP (Vedere de Sus)

Utilizați diagrama de pini PDIP/SOP pentru ambalajul SOP de 28 de pini al acestei părți. Versiunea sTSOP are o aranjare diferită a pinilor.

Caracteristici și Specificații Electrice AS6C62256-55SINTR

AS6C62256-55SINTR funcționează fără refresh și oferă intrări și ieșiri compatibile cu TTL. Ieșirile sale în trei stări permit partajarea magistralei de date atunci când cipul este deselectat. Tabelele de mai jos prezintă specificațiile pentru varianta SOP de 28 de pini, cu temperatură industrială. Un dash înseamnă că nu este specificată nicio valoare.

Specificații Generale

Parametru	Specificația AS6C62256-55SINTR
Organizare memorie	32,768 × 8 biți (256 Kbit)
Tensiune de alimentare în funcționare, VCC	2.7 până la 5.5 V
Timp de acces	55 ns maxim
Temperatură de operare, TA	−40 până la +85 °C
Ambalaj	SOP de 28 de pini, 330 mil
Format de livrare	Bandă și bobină
Conformitate	Conform RoHS

Evaluări Maxime Absolute

Parametru	Simbol	Evaluare
Tensiunea terminalului în raport cu VSS	VTERM	−0.5 până la +7.0 V
Temperatură de operare, grad industrial	TA	−40 până la +85 °C
Temperatură de stocare	TSTG	−65 până la +150 °C
Disiparea puterii	PD	1 W
Curent de ieșire DC	IOUT	50 mA
Temperatura de lipire	TSOLDER	260 °C pentru mai puțin de 10 secunde

Evaluările maxime absolute sunt limite de stres, nu condiții de operare. Alliance Memory listează intervalul de temperatură industrial în acest tabel și identifică AS6C62256-55SIN ca variantă SOP industrială în informațiile sale de comandă.

Caracteristici Electrice DC

Parametru	Simbol	Condiție de testare	Min.	Typ.	Max.
Tensiune de intrare înaltă	VIH	Funcționare normală	2.4 V	—	VCC + 0.5 V
Tensiune de intrare joasă	VIL	Funcționare normală	−0.5 V	—	0.6 V
Curent de scurgere de intrare	ILI	VSS ≤ VIN ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Curent de scurgere la ieșire	ILO	Ieșirea dezactivată; VSS ≤ VOUT ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Tensiune de ieșire înaltă	VOH	IOH = −1 mA	2.4 V	3.0 V	—
Tensiune de ieșire joasă	VOL	IOL = 2 mA	—	—	0.4 V
Curent de alimentare în funcționare	ICC	Timp de ciclu minim; CE# = VIL; I/O = 0 mA	—	15 mA	45 mA
Curent de alimentare în funcționare	ICC1	Ciclu de 1 µs; CE# ≤ 0.2 V; I/O = 0 mA; alte pini la 0.2 V sau VCC − 0.2 V	—	3 mA	10 mA
Curent de alimentare în așteptare	ISB	CE# = VIH	—	1 mA	3 mA
Curent de alimentare în așteptare industrial	ISB1	CE# ≥ VCC − 0.2 V; alte pini la 0.2 V sau VCC − 0.2 V	—	1 µA	30 µA

Foaia de date permite VIH până la VCC + 3.0 V și VIL până la VSS − 3.0 V doar pentru impulsuri mai scurte de 10 ns. Acestea sunt condiții de overshoot și undershoot caracterizate, nu limite de operare DC normale. În special, ele nu stabilesc că o intrare continuă de 5 V este acceptabilă atunci când VCC este 3.3 V. Valorile tipice sunt doar pentru referință și nu sunt limite garantate. Valoarea ISB1 se aplică doar în condițiile de testare în așteptare specificate.

Capacitate și Condiții de Testare AC

Parametru	Condiție	Valoare
Capacitatea de intrare, CIN	TA = 25 °C; f = 1.0 MHz	6 pF maxim
Capacitatea intrare/ieșire, CI/O	TA = 25 °C; f = 1.0 MHz	8 pF maxim
Nivelurile impulsului de intrare	Teste de temporizare AC	0.2 V la VCC − 0.2 V
Timpii de creștere și cădere a intrării	Teste de temporizare AC	3 ns
Referință de temporizare pentru intrare și ieșire	Teste de temporizare AC	1.5 V
Sarcină de ieșire	Teste de temporizare AC	CL = 50 pF + 1 TTL sarcină; IOH/IOL = −1 mA/2 mA

Limitele de capacitate sunt garantate prin caracterizarea dispozitivului, dar nu sunt testate în producție.

Temporizarea citirii și scrierii AS6C62256-55SINTR

AS6C62256-55SINTR suportă citiri controlate de adresă și citiri controlate de CE# și OE#. O scriere poate să se termine când fie WE# sau CE# crește. Tabelele oferă limitele de temporizare pentru versiunea de 55 ns.

Ciclu de citire

Figura 4. Formele de undă ale temporizării ciclu de citire AS6C62256-55SINTR

Ciclu de citire 1, controlat de adresă: Mențineți CE# și OE# pe nivel scăzut și WE# pe nivel înalt. O schimbare pe A0–A14 selectează următoarea locație de memorie. Ieșirea veche rămâne validă pentru scurt timp după ce adresa se schimbă, apoi DQ0–DQ7 prezintă date din noua locație.

Ciclu de citire 2, controlat de CE# și OE#: Cu WE# pe nivel înalt și adresa stabilă, reduceți CE# pentru a selecta cipul și OE# pentru a activa ieșirile acestuia. Datele devin valide după ce sunt scăzute întârzierile de adresă aplicabile, de activare a cipului și de activare a ieșirii. Ridicarea CE# sau OE# returnează ieșirile la impedanță înaltă.

Parametru	Simbol	Min.	Max.
Timpul ciclu de citire	tRC	55 ns	—
Timpul de acces la adresă	tAA	—	55 ns
Timpul de acces la activarea cipului	tACE	—	55 ns
Timpul de acces la activarea ieșirii	tOE	—	30 ns
Activarea cipului până la ieșire în Low-Z	tCLZ*	10 ns	—
Activarea ieșirii până la ieșire în Low-Z	tOLZ*	5 ns	—
Dezactivarea cipului până la ieșire în High-Z	tCHZ*	—	20 ns
Dezactivarea ieșirii până la ieșire în High-Z	tOHZ*	—	20 ns
Menținerea ieșirii după schimbarea adresei	tOH	10 ns	—

Ciclu de scriere

Figura 5. Formele de undă ale temporizării ciclu de scriere AS6C62256-55SINTR

Ciclu de scriere 1, controlat de WE#: Mențineți CE# pe nivel scăzut, prezentați o adresă validă și pulsați WE# pe nivel scăzut. Plasați datele de intrare pe DQ0–DQ7 înainte ca WE# să crească. Acea margine crescătoare finalizează scrierea.

Ciclu de scriere 2, controlat de CE#: Mențineți WE# pe nivel scăzut și pulsați CE# pe nivel scăzut în timp ce adresa și datele de intrare sunt valide. Marginea crescătoare a CE# finalizează scrierea. În oricare ciclu, țineți cont de întârzierea dezactivării ieșirii înainte ca un dispozitiv extern să conducă date pe autobuzul DQ comun.

Parametru	Simbol	Min.	Max.
Timpul ciclu de scriere	tWC	55 ns	—
Adresa validă până la sfârșitul scrierii	tAW	50 ns	—
Activarea cipului până la sfârșitul scrierii	tCW	50 ns	—
Timpul de configurare a adresei	tAS	0 ns	—
Lățimea impulsului de scriere	tWP	45 ns	—
Timpul de recuperare a scrierii	tWR	0 ns	—
Suprapunerea timpului de scriere a datelor	tDW	25 ns	—
Menținerea datelor după sfârșitul scrierii	tDH	0 ns	—
Ieșirea activă după sfârșitul scrierii	tOW*	5 ns	—
Scrierea către ieșire în High-Z	tWHZ*	—	20 ns

Fisa tehnică specifică CL = 5 pF pentru tCLZ, tOLZ, tCHZ, tOHZ, tOW și tWHZ. Tranzițiile lor aplicabile High-Z și Low-Z sunt măsurate ±500 mV față de nivelul de ieșire în regim stabil. Nu aplicați condiția generală de sarcină de 50 pF + 1 TTL pentru acești șase parametri. Parametrii marcați sunt garantați prin caracterizarea dispozitivului, dar nu sunt testați în producție.

AS6C62256-55SINTR Menținerea datelor

Figura 6. Formă de undă simplificată a menținerii datelor AS6C62256, refăcută din fișa tehnică a Alliance Memory

Înainte ca VCC să scadă sub tensiunea minimă de funcționare normală de 2,7 V, ridicați CE#. În timpul menținerii datelor, mențineți VCC la sau peste 1,5 V și CE# ≥ VCC − 0,2 V.

Parametru	Simbol	Condiție de testare	Min.	Tip.	Max.
Tensiunea de alimentare pentru menținerea datelor	VDR	CE# ≥ VCC − 0,2 V	1.5 V	—	5,5 V
Curentul de menținere a datelor	IDR	VCC = 2,0 V; CE# ≥ VCC − 0,2 V	—	0,5 µA	20 µA
Timpul de dezactivare a cipului până la menținerea datelor	tCDR	Înainte ca VCC să scadă sub intervalul de funcționare	0 ns	—	—
Timpul de recuperare	tR	După ce VCC revine la intervalul de funcționare	tRC	—	—

Odată ce VCC revine la intervalul normal de funcționare de 2,7 V până la 5,5 V, așteptați cel puțin un ciclu de citire (tRC = 55 ns) înainte de a accesa memoria

Dimensiunile pachetului AS6C62256-55SINTR și modelele CAD

Conturul pachetului SOP cu 28 de pini

Figura 7. Conturul pachetului SOP cu 28 de pini, 330 mil pentru AS6C62256

AS6C62256-55SINTR folosește pachetul SOP cu 28 de pini, 330 mil. Desenul pachetului arată dispozitivul din partea de sus. Dimensiunile selectate ale pachetului sunt prezentate mai jos. Consultați desenul pachetului de la Alliance Memory pentru dimensiunile complete și toleranțele.

Desen simbol	Dimensiune
A	3.048 mm maximum
A1	0.05 mm minimum
A2	2.489 ± 0.127 mm
b	0.406 mm tipic
D	18.491 mm maximum
E	8.636 mm maximum
E1	11.811 ± 0.305 mm
e	1.270 mm tipic

Utilizați aceste dimensiuni împreună cu desenul producătorului atunci când verificați amprenta PCB și distanța de asamblare.

Simbol schematic, amprenta PCB și model 3D

Figura 8. Simbolul schematic AS6C62256-55SINTR, amprenta PCB SOP cu 28 de pini și modelul 3D al pachetului

Aplicații AS6C62256-55SINTR

Alliance Memory identifică memoria cu consum redus de putere și backup cu baterie ca aplicații pentru AS6C62256. Utilizările de mai jos sunt exemple de designuri practice. Adecvarea depinde de tensiunea de alimentare a sistemului, interfața paralelă, capacitatea de memorie și cerințele de temporizare.

• Controlere industriale: Un controler industrial poate folosi SRAM pentru măsurători temporare sau date operative. Cu o sursă de backup adecvată, poate păstra datele în timpul unei întreruperi de curent.

• Sisteme încorporate: Oferă 32 KB de memorie de lucru pentru un controler compatibil.

• Instrumente portabile: Păstrează citirile și datele temporare în echipamente alimentate de baterie.

• Echipamente de înregistrare a datelor: Bufferizează măsurătorile înainte de procesare sau transfer.

• Echipamente de comunicație: Păstrează date temporare sau valori de configurație într-un design compatibil.

Alternative AS6C62256-55SINTR și verificări de compatibilitate

Lista actuală de referință transversală a Alliance Memory cataloghează AS6C62256-55SINTR ca înlocuitor pentru CY62256NLL-55SNXIT. Acea listă descrie o substituție de la componenta Cypress la componenta Alliance. Nu confirmă că componenta Cypress va funcționa în direcția inversă. Tratați-o ca pe un candidat tehnic care necesită verificare înainte de a fi utilizat pentru a înlocui un AS6C62256-55SINTR instalat.

Candidat	Producător relația de referință transversală	Verificare înainte de substituția inversă
CY62256NLL-55SNXIT	Harta actuală de referință transversală a Alliance asociază acest cod de comandă Cypress cu AS6C62256-55SINTR.	Comparati tensiunea de alimentare, pinout, amprenta SOP, temporizarea de 55 ns, intervalul de temperaturi și limitele de retenție a datelor.

Înainte de a înlocui un alt dispozitiv, comparați codurile complete de comandă, conexiunile pinilor, amprenta PCB, tensiunea de alimentare, temporizarea de citire și scriere, temperatura de funcționare și cerințele de retenție a datelor.

Când să alegeți AS6C62256-55SINTR

Alegeți AS6C62256-55SINTR când designul dumneavoastră necesită SRAM asincron de 32K × 8 cu acces de 55 ns, un interval de alimentare de 2.7–5.5 V, operare industrială de la -40 °C la +85 °C și o amprentă SOP cu 28 de pini, 330 mil. Este, de asemenea, un candidat pentru menținerea unui circuit imprimat care folosește deja acest pachet și pinout exact.

Alegeți un dispozitiv de memorie diferit dacă sistemul dumneavoastră necesită o interfață serială, o capacitate substanțial mai mare sau o amprentă PCB diferită. AS6C62256-55SINTR este volatil: dacă datele trebuie să supraviețuiască pierderii alimentării principale, designul dumneavoastră trebuie să mențină o sursă de retenție adecvată.

Referințe tehnice

• Alliance Memory, Fisa tehnică AS6C62256, revizia 1.2, 23 martie 2016.

• Alliance Memory, Înlocuire pentru Cypress Semiconductor CY62256.

• Alliance Memory, Înlocuiri ușor disponibile pentru CY62256 SRAM-uri cu consum redus, 2 august 2018.